一種高強(qiáng)度釹鐵硼磁體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911320487.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111128503B 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN111128503B 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I;H01F41/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 查善順;劉友好;曹玉杰;黃秀蓮;陳靜武;衣曉飛;熊永飛 申請（專利權(quán)）人 安徽大地熊新材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥天明專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張夢媚
地址 231500安徽省合肥市廬江縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高強(qiáng)度釹鐵硼磁體及其制備方法，其以釹鐵硼磁體作為母材基體，在所述釹鐵硼磁體的表面設(shè)有金屬鍍層，所述金屬鍍層包括至少一層金屬單質(zhì)鍍層，其特征在于，所述金屬鍍層上還設(shè)有石墨烯薄膜層。本發(fā)明在釹鐵硼磁體常規(guī)金屬鍍層表面制得石墨烯薄膜，由于石墨烯的高強(qiáng)度特性，使得磁體表面具有極高的強(qiáng)度，同時網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的石墨烯薄膜能夠減小金屬鍍層的脫落，從而獲得高強(qiáng)度和高穩(wěn)定性的釹鐵硼磁體。