一種三狀態(tài)分子束外延用束源爐快門

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011453051.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112746318B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN112746318B 申請公布日 2022-02-18
分類號 C30B23/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 杜鵬;龔欣;付宏偉;魏唯;陳峰武;王慧勇;肖慧;寧澍;陳長平 申請（專利權(quán)）人 湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐好
地址 410000湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種三狀態(tài)分子束外延用束源爐快門，在具備束流開啟與束流關(guān)斷兩種狀態(tài)的基礎(chǔ)上，新增第三種束源爐保護狀態(tài)，處于束源爐保護狀態(tài)的快門可以有效阻擋冷屏內(nèi)壁上吸附的材料碎片掉落入束源爐中，具有可以保護束源爐內(nèi)源料不受材料碎片污染、優(yōu)化外延薄膜質(zhì)量、同時有效提升蒸發(fā)束流的穩(wěn)定性和重復(fù)性、降低設(shè)備維護時間、提高設(shè)備生產(chǎn)效率等優(yōu)點。