一種分子束外延源料冷卻方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011311954.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112538654A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN112538654A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類(lèi)號(hào) C30B23/06;C23C14/54;C23C14/24 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 杜鵬;龔欣;陳長(zhǎng)平;魏唯;陳峰武;王慧勇;肖慧;寧澍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖南兆弘專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐好
地址 410000 湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號(hào)麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種分子束外延源料冷卻方法，包括步驟：分子束外延工藝結(jié)束后，坩堝托架帶動(dòng)坩堝緩慢下降移出高溫區(qū)間，使坩堝中的源料自下而上逐漸凝固，直至坩堝中的源料全部凝固。本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)便，可在普通熱蒸發(fā)源的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)大容量、大束流、高可靠性的源料蒸發(fā)與冷卻等優(yōu)點(diǎn)。