一種坩堝可移動的分子束外延用束源爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011315020.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112410871B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN112410871B 申請公布日 2021-09-03
分類號 C30B23/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 杜鵬;龔欣;魏唯;陳峰武;王慧勇;肖慧;寧澍;陳長平 申請（專利權）人 湖南爍科晶磊半導體科技有限公司
代理機構 湖南兆弘專利事務所（普通合伙） 代理人 徐好
地址 410000 湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種坩堝可移動的分子束外延用束源爐，包括坩堝托架、安裝法蘭、設于安裝法蘭上側的熱屏蔽筒、設于安裝法蘭下側的閘閥、設于閘閥下側的外筒、以及用于帶動坩堝托架在熱屏蔽筒和外筒之間移動的升降驅動機構，所述熱屏蔽筒內設有加熱器，所述外筒連接有真空泵，所述升降驅動機構與所述外筒密封連接。本發(fā)明具有結構簡單、成本低、可靠性高、占用空間少等優(yōu)點。