一種分子束外延源料原位預處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011311933.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112410732A 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN112410732A 申請公布日 2021-02-26
分類號 C23C14/24(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 杜鵬;龔欣;魏唯;陳峰武;王慧勇;肖慧;寧澍;陳長平 申請（專利權(quán)）人 湖南爍科晶磊半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 湖南兆弘專利事務所（普通合伙） 代理人 徐好
地址 410000湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種分子束外延源料原位預處理方法，包括步驟：S1、坩堝下降至外筒內(nèi)，關(guān)閉閘閥，外筒充氣至大氣壓后卸下外筒，取下坩堝，將源料裝入坩堝并蓋上坩堝蓋，將坩堝放回至坩堝托架上，將外筒重新連接至閘閥，外筒抽氣至合適真空度后，打開閘閥，坩堝移動至工藝位置；S2、加熱器對坩堝下部進行加熱；S3、加熱器對坩堝上部進行加熱；S4、坩堝下降至外筒內(nèi)，關(guān)閉閘閥，外筒充氣至大氣壓后卸下外筒，取下坩堝蓋，將外筒重新連接至閘閥，外筒抽氣至合適真空度后，打開閘閥，坩堝移動至工藝位置。本發(fā)明具有操作簡便、效率高，預處理后的料錠質(zhì)地緊密，與坩堝形狀相同，可顯著提高蒸發(fā)束流的穩(wěn)定性等優(yōu)點。??