一種分子束外延源料原位預(yù)處理方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011311933.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112410732A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112410732A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | C23C14/24(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 杜鵬;龔欣;魏唯;陳峰武;王慧勇;肖慧;寧澍;陳長(zhǎng)平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 徐好 |
| 地址 | 410000湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號(hào)麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種分子束外延源料原位預(yù)處理方法，包括步驟：S1、坩堝下降至外筒內(nèi)，關(guān)閉閘閥，外筒充氣至大氣壓后卸下外筒，取下坩堝，將源料裝入坩堝并蓋上坩堝蓋，將坩堝放回至坩堝托架上，將外筒重新連接至閘閥，外筒抽氣至合適真空度后，打開(kāi)閘閥，坩堝移動(dòng)至工藝位置；S2、加熱器對(duì)坩堝下部進(jìn)行加熱；S3、加熱器對(duì)坩堝上部進(jìn)行加熱；S4、坩堝下降至外筒內(nèi)，關(guān)閉閘閥，外筒充氣至大氣壓后卸下外筒，取下坩堝蓋，將外筒重新連接至閘閥，外筒抽氣至合適真空度后，打開(kāi)閘閥，坩堝移動(dòng)至工藝位置。本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)便、效率高，預(yù)處理后的料錠質(zhì)地緊密，與坩堝形狀相同，可顯著提高蒸發(fā)束流的穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。?? |
