一種雙快門分子束外延源爐系統(tǒng)及分子束外延設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110683800.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113463189A 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113463189A 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) C30B23/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 杜鵬;龔欣;付宏偉;魏唯;陳峰武;肖慧;寧澍;陳長平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 焉明濤
地址 410000湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號(hào)麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙快門分子束外延源爐系統(tǒng)及分子束外延設(shè)備，包括腔室，源爐，第一快門和第二快門；源爐的爐口朝向腔室內(nèi)設(shè)置，第一快門和第二快門向腔室內(nèi)延伸，且第一快門和第二快門至少部分露出于腔室外壁；通過在腔室外操作第一快門，可將第一快門調(diào)整至完全遮擋源爐的蒸發(fā)路徑的第一位置或者完全離開蒸發(fā)路徑的第二位置；通過在腔室外操作第二快門，可將第二快門調(diào)整至覆蓋源爐3爐口正上方的第三位置或者靠近源爐3爐口加熱器的第四位置。根據(jù)本公開的雙快門源爐系統(tǒng)能夠保護(hù)源爐內(nèi)的源料不受材料碎片污染、優(yōu)化外延薄膜質(zhì)量、同時(shí)有效提升蒸發(fā)束流的穩(wěn)定性和重復(fù)性。