一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111429426.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114093963A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114093963A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 連維飛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇愛(ài)康能源研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江陰市揚(yáng)子專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 周青 |
| 地址 | 215600江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)華昌路188號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及的一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，它包括N型單晶硅基片，所述N型單晶硅基片的正面設(shè)有一層n+摻雜層，在n+摻雜層的表面沉積一層第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有不少于兩層的n型非晶硅/微晶硅膜，最外層的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有一層第一導(dǎo)電膜；所述N型單晶硅基片的背面設(shè)有一層第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有不少于兩層的p型非晶硅/微晶硅膜，最外層的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有一層第二導(dǎo)電膜。本發(fā)明在N型單晶硅基片主表面形成一層n+摻雜層，形成高低結(jié)，對(duì)光生載流子起到一定的分離作用，減少光生載流子的復(fù)合。 |
