一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111429426.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114093963A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114093963A 申請公布日 2022-02-25
分類號 H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 連維飛 申請（專利權(quán)）人 江蘇愛康能源研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江陰市揚(yáng)子專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周青
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)華昌路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及的一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，它包括N型單晶硅基片，所述N型單晶硅基片的正面設(shè)有一層n+摻雜層，在n+摻雜層的表面沉積一層第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有不少于兩層的n型非晶硅/微晶硅膜，最外層的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有一層第一導(dǎo)電膜；所述N型單晶硅基片的背面設(shè)有一層第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有不少于兩層的p型非晶硅/微晶硅膜，最外層的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉積有一層第二導(dǎo)電膜。本發(fā)明在N型單晶硅基片主表面形成一層n+摻雜層，形成高低結(jié)，對光生載流子起到一定的分離作用，減少光生載流子的復(fù)合。