一種晶片頻率腐蝕及清洗裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120011949.3 申請日 -
公開（公告）號 CN201990731U 公開（公告）日 2011-09-28
申請公布號 CN201990731U 申請公布日 2011-09-28
分類號 C23F1/08(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 施斌慧 申請（專利權(quán)）人 江陰市江海光伏科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 214400 江蘇省江陰市徐霞客璜塘工業(yè)園集中區(qū)鳳凰路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種晶片頻率腐蝕及清洗裝置，該裝置為箱體結(jié)構(gòu)，在所述箱體內(nèi)設(shè)有腐蝕槽與清洗槽，所述腐蝕槽位于箱體的一端，在所述腐蝕槽的一側(cè)設(shè)有清洗槽，將所述清洗槽與所述腐蝕槽之間用A隔板隔開，在所述清洗槽的側(cè)壁上設(shè)有至少兩道B隔板插槽，通過所述B隔板至少將清洗槽分割為兩個，所述至少兩個清洗槽的底部相互連通；在所述清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各設(shè)有一根傳動軸，在每根所述的傳動軸上均裝有振動架，在所述振動架上放置有晶片籃；在所述腐蝕槽的外圍設(shè)置有放水隔層。優(yōu)點：由自動腐蝕晶片是原加工產(chǎn)量的8倍；腐蝕用計算機檔案進行頻率管控，減少人為因素；腐蝕和清洗能同時進行，從而減少人力也提高了效率。