一種流化床裝置生產(chǎn)高純度硅的新工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710046125.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101186299A 公開（公告）日 2008-05-28
申請公布號 CN101186299A 申請公布日 2008-05-28
分類號 C01B33/033(2006.01) 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 何午生;何文;施杏娣;郭行凱;蔣士震;唐則祁;胡宏勛;潘科君;鄭君 申請（專利權(quán)）人 上海中仁能源科技有限公司
代理機構(gòu) 上海東亞專利商標代理有限公司 代理人 寧波杉杉尤利卡太陽能科技發(fā)展有限公司;寧波杉杉創(chuàng)業(yè)投資有限公司;上海中仁能源科技有限公司
地址 315177浙江省寧波市鄞州區(qū)古林鎮(zhèn)鄞縣大道杉杉科創(chuàng)基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的是提供一種能耗較低，投資相對較少的可以連續(xù)化生產(chǎn)且密閉循環(huán)的流化床裝置生產(chǎn)高純度硅的新工藝；采用高純度四氯化硅與高純度活潑金屬進行還原反應(yīng)制備高純度硅材料?；顫娊饘倏刹捎免c，鎂，鋁，鋅等。本發(fā)明的效果是：通過以金屬在流化床中還原四氯化硅，得到一種可以連續(xù)生產(chǎn)的高純度硅產(chǎn)品，該產(chǎn)品純度≥6N，為太陽能級多晶硅。同時該工藝與通常生產(chǎn)多晶硅的西門子法工藝比較，具有投資少，能耗低，成本低，無污染排放等優(yōu)勢。