一種臺面結(jié)構(gòu)鋁硼擴(kuò)散工藝的可控硅芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020816530.4 申請日 -
公開（公告）號 CN211789026U 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號 CN211789026U 申請公布日 2020-10-27
分類號 H01L29/74(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋銳;黃傳傳;吳宗杰;李運(yùn)鵬;李小麗;駱建輝 申請（專利權(quán)）人 江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌佳誠專利事務(wù)所 代理人 江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司
地址 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)儒樂湖399號四樓409室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于硅芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種臺面結(jié)構(gòu)鋁硼擴(kuò)散工藝的可控硅芯片，包括長基區(qū)，所述長基區(qū)的上表面設(shè)置有正面短基區(qū)，所述長基區(qū)的下表面設(shè)置有背面P型區(qū)，所述正面短基區(qū)的上表面設(shè)置有正面發(fā)射區(qū)，所述正面短基區(qū)的上表面設(shè)置有保護(hù)膜，所述保護(hù)膜、正面短基區(qū)和長基區(qū)設(shè)置有正面溝槽，所述正面溝槽兩側(cè)表面設(shè)置有正面鈍化區(qū)，所述保護(hù)膜靠近正面發(fā)射區(qū)的表面設(shè)置有正面陰極鋁電極；結(jié)合鋁擴(kuò)工藝與硼擴(kuò)工藝的優(yōu)點(diǎn)，利用鋁擴(kuò)散系數(shù)比硼擴(kuò)散系數(shù)大的特點(diǎn)，采取鋁硼擴(kuò)散工藝，對通隔離區(qū)與短基區(qū)可同步形成，合二為一，擴(kuò)散時間為30h，極大地提高了生產(chǎn)效率，又可降低表面缺陷，獲得良好的Veb特性。??