一種單一芯片雙信道保護(hù)組件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810597483.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110581057A 公開（公告）日 2019-12-17
申請公布號 CN110581057A 申請公布日 2019-12-17
分類號 H01L21/02（2006.01）; H01L21/027（2006.01）; H01L21/78（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李運(yùn)鵬; 郭小紅; 陳智偉; 黃傳傳 申請（專利權(quán)）人 江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海宣宜專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司
地址 330114 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)儒樂湖399號四樓409室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單一芯片雙信道保護(hù)組件的制造方法，包括如下步驟：(1)將一片硅晶圓作基底，基底為P型或N型，(2)將所述硅晶圓置入擴(kuò)散爐或離子布植機(jī)中，摻雜一層N型或P型雜質(zhì)，(3)之后將硅晶圓置入氧化爐中，加熱氧化形成另一層氧化層，(4)再將所述硅晶圓置入擴(kuò)散爐摻雜繼續(xù)驅(qū)入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面，(6)通過微影術(shù)曝光獲得擴(kuò)散區(qū)域及切割道圖案。本發(fā)明在原硅片擴(kuò)散后，芯片正反面使用二套U型槽光刻板，蝕刻U型槽以形成有效的PN節(jié)，后經(jīng)鈍化技術(shù)保護(hù)PN節(jié)，劃開切割道后形成雙通道集成芯片，成本低。