一種二極管突波電壓抑制器芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810594567.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110581178A 公開（公告）日 2019-12-17
申請公布號 CN110581178A 申請公布日 2019-12-17
分類號 H01L29/861（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L21/329（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李運(yùn)鵬; 郭小紅; 陳智偉; 黃傳傳 申請（專利權(quán)）人 江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海宣宜專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司
地址 330114 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)儒樂湖399號四樓409室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及突波電壓抑制器，特別是一種二極管突波電壓抑制器芯片及其制造方法。芯片為NPN結(jié)構(gòu)，N型雜質(zhì)擴(kuò)散分布于P型基底正、反兩面，N型雜質(zhì)的電極區(qū)域覆蓋有電極金屬，其它區(qū)域覆蓋有氧化層，芯片的厚度為170μm?240μm。二極管突波電壓抑制器芯片為雙極性或單極性，雙極性的正、反面電極區(qū)域均覆蓋有負(fù)電極金屬；單極性的正面電極區(qū)域覆蓋有負(fù)電極金屬，反面整體為電極區(qū)域，并覆蓋有正電極金屬。本發(fā)明的二極管突波電壓抑制器芯片，使用電流增益控制較佳的P型原硅片，減薄至一定的厚度。原硅片雙面擴(kuò)散N型摻雜，補(bǔ)擴(kuò)散控制PN結(jié)的深度以進(jìn)一步控制芯片的負(fù)電阻特性，在遇到突波電壓時因崩潰電壓帶負(fù)電阻的特性使得元件承受的功率降低，更耐高電流。