高質(zhì)量碳化硅籽晶、碳化硅晶體、碳化硅襯底及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110484326.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113186601A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113186601A 申請公布日 2021-07-30
分類號 C30B29/36;C30B23/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 彭同華;王波;趙寧;婁艷芳;郭鈺;張賀;劉春俊;楊建 申請（專利權(quán)）人 新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 豆貝貝
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高質(zhì)量碳化硅籽晶、碳化硅晶體、碳化硅襯底及其制備方法。本發(fā)明制備高質(zhì)量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩堝及保溫材料的雜質(zhì)濃度，結(jié)合一定的晶體生長工藝以及晶片加工方式，得到了高質(zhì)量的碳化硅襯底。所得碳化硅襯底具有高的結(jié)晶質(zhì)量，極低的微管數(shù)量、螺位錯密度和復(fù)合位錯密度；同時具有極低的p型雜質(zhì)濃度，表現(xiàn)出優(yōu)良的電學(xué)性能；還具有高的表面質(zhì)量。