一種高品質(zhì)的大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811534979.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110592673B | 公開（公告）日 | 2019-12-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110592673B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-12-20 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉春俊;姚靜;彭同華;趙寧;王波;楊建 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司;新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 102600北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種高品質(zhì)的大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)方法，旨在提高生長(zhǎng)的SiC晶體質(zhì)量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步驟：將裝有碳化硅原料和籽晶的坩堝放于單晶生長(zhǎng)爐中，坩堝快速上推距離范圍為5?50mm，遠(yuǎn)離高溫區(qū)，待達(dá)到一定的溫度和壓力條件下，坩堝緩慢下降，下降距離與坩堝上推距離一致，之后在一定的溫度和壓力條件下使碳化硅原料發(fā)生升華并在籽晶上結(jié)晶，將晶體冷卻，獲得碳化硅單晶。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：在晶體生長(zhǎng)初期，使籽晶遠(yuǎn)離高溫區(qū)，消除因溫度高導(dǎo)致的籽晶燒蝕，從而消除平面六方空洞缺陷；同時(shí)保證SiC原料的充分利用，從而獲得高品質(zhì)的大尺寸碳化硅晶體。?? |
