一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長方法和高質(zhì)量碳化硅單晶

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911380301.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110983434A 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN110983434A 申請公布日 2020-04-10
分類號 C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;雍慶;趙寧;彭同華;楊建 申請（專利權(quán)）人 北京天科合達(dá)新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司;江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)新材料有限公司
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長方法和高質(zhì)量碳化硅單晶，方法包括：在碳化硅粉料和籽晶之間設(shè)置碳化硅晶體塊，加熱，碳化硅粉料升華后在所述碳化硅晶體塊處結(jié)晶，生成碳化硅過渡層，碳化硅過渡層升華后在籽晶處結(jié)晶，生長得到碳化硅單晶。該方法通過設(shè)置碳化硅晶體塊，使得碳化硅單晶的生長不直接來源于碳化硅粉料的升華，而來源碳化硅過渡層的氣相升華，能夠有效消除碳化硅粉料碳化后形成的細(xì)小石墨顆粒，隨著氣流帶到晶體中，另外也能夠有效地阻止碳化硅粉料中的雜質(zhì)進(jìn)入碳化硅單晶內(nèi)部；還保證了生長腔室內(nèi)具有更合適的Si/C比例，減少了碳化硅單晶生長過程中產(chǎn)生的包裹物、微管、位錯等缺陷，從而獲得高質(zhì)量的碳化硅單晶。