一種高質(zhì)量低缺陷碳化硅單晶、其制備方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011535254.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112779603A 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112779603A 申請公布日 2021-05-11
分類號 C30B29/36;C30B23/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;姚靜;雍慶;婁艷芳;趙寧;王波;彭同華;楊建 申請（專利權(quán)）人 新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 付麗
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高質(zhì)量低缺陷碳化硅單晶片，且含有氮；碳面中的氮濃度低于硅面中的氮濃度，且氮濃度在晶片厚度方向上，隨著距碳面的距離的增大而增加。本發(fā)明中的碳化硅單晶晶片能夠保證向碳面凸起彎曲。此種向碳面凸起彎曲的結(jié)構(gòu)在晶體切割和晶片加工過程中得以保留，并與加工應(yīng)力抵消，可獲得殘余應(yīng)力較小的碳化硅單晶晶片，同時有利于減小晶片位錯，還保證了外延層的缺陷密度在較低水平。本發(fā)明還提供了一種高質(zhì)量低缺陷碳化硅單晶的制備方法及應(yīng)用。