一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長(zhǎng)方法和高質(zhì)量碳化硅單晶
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911380301.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110983434B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110983434B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉春俊;雍慶;趙寧;彭同華;楊建 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 豆貝貝 |
| 地址 | 102600北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長(zhǎng)方法和高質(zhì)量碳化硅單晶，方法包括：在碳化硅粉料和籽晶之間設(shè)置碳化硅晶體塊，加熱，碳化硅粉料升華后在所述碳化硅晶體塊處結(jié)晶，生成碳化硅過(guò)渡層，碳化硅過(guò)渡層升華后在籽晶處結(jié)晶，生長(zhǎng)得到碳化硅單晶。該方法通過(guò)設(shè)置碳化硅晶體塊，使得碳化硅單晶的生長(zhǎng)不直接來(lái)源于碳化硅粉料的升華，而來(lái)源碳化硅過(guò)渡層的氣相升華，能夠有效消除碳化硅粉料碳化后形成的細(xì)小石墨顆粒，隨著氣流帶到晶體中，另外也能夠有效地阻止碳化硅粉料中的雜質(zhì)進(jìn)入碳化硅單晶內(nèi)部；還保證了生長(zhǎng)腔室內(nèi)具有更合適的Si/C比例，減少了碳化硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的包裹物、微管、位錯(cuò)等缺陷，從而獲得高質(zhì)量的碳化硅單晶。?? |
