一種導(dǎo)電型碳化硅單晶及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011536526.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112725893A 公開（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112725893A 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;雍慶;婁艷芳;趙寧;姚靜;王波;彭同華;楊建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 付麗
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電型碳化硅單晶，摻雜元素包括氮和原子半徑大于硅的原子半徑的元素；所述導(dǎo)電型碳化硅單晶的電阻率為0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半徑大于硅的原子半徑的元素的摻雜濃度為氮元素濃度的0.1％到10％。本發(fā)明中的碳化硅晶體，在氮元素?fù)饺氲幕A(chǔ)上，通過(guò)原子半徑大于硅的原子半徑的元素的引入，并控制氮和原子半徑大于硅的原子半徑的元素的濃度，在保證電阻率處于導(dǎo)電類型碳化硅單晶襯底要求的基礎(chǔ)上，能夠補(bǔ)償?shù)雍吞荚映叽绮町愐鸬木Ц窕儯档途w的內(nèi)應(yīng)力，降低晶體內(nèi)部的位錯(cuò)密度。本發(fā)明還提供了一種導(dǎo)電型碳化硅單晶的制備方法。