一種增強(qiáng)型GaN基HEMT器件的外延結(jié)構(gòu)、器件及其器件的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811028387.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110875386A 公開(kāi)（公告）日 2020-03-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110875386A 申請(qǐng)公布日 2020-03-10
分類(lèi)號(hào) H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 武良文 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330000 江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)高新二路18號(hào)創(chuàng)業(yè)大廈503、515室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種增強(qiáng)型GaN基HEMT器件的外延結(jié)構(gòu)、器件及其器件的制備方法，其中，所述復(fù)合勢(shì)壘層包括第一勢(shì)壘層和第二勢(shì)壘層，第一勢(shì)壘層厚度較薄，此厚度較薄的第一勢(shì)壘層無(wú)法使溝道層在界面形成高濃度二維電子氣，使HEMT器件在零柵壓時(shí)源、漏之間無(wú)法導(dǎo)通；第二勢(shì)壘層為二次選區(qū)外延生長(zhǎng)厚度較厚的勢(shì)壘層，厚度較厚的第二勢(shì)壘層可使下方的溝道層在界面形成高濃度二維電子氣，且第二勢(shì)壘層在柵極區(qū)域斷開(kāi)，使溝道層界面的高濃度二維電子氣在柵極區(qū)域斷開(kāi)，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型的GaN基HEMT器件的外延結(jié)構(gòu)；同時(shí)，本發(fā)明中所述第二勢(shì)壘層使用選區(qū)二次外延的方法生長(zhǎng)，避免了凹槽柵和p型柵結(jié)構(gòu)中刻蝕以及F離子注入造成的晶格損傷，而導(dǎo)致器件可靠性差等問(wèn)題。