一種具有DBR分層結(jié)構(gòu)的LED芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020781423.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211670204U | 公開（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211670204U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-13 |
| 分類號(hào) | H01L33/10(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張亞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330000江西省南昌市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)天祥北大道 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種具有DBR分層結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括P電極、PSS襯底、LED外延結(jié)構(gòu)、CBL電流阻擋層、TCL透明導(dǎo)電層、N型半導(dǎo)體臺(tái)面、N電極、DBR結(jié)構(gòu)；其中：PSS襯底上生長(zhǎng)有LED外延結(jié)構(gòu)，LED外延結(jié)構(gòu)上沉積有CBL電流阻擋層，LED外延結(jié)構(gòu)上沉積TCL透明導(dǎo)電層，以MESA圖層為掩模對(duì)LED外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行等離子干法刻蝕（ICP），形成N型半導(dǎo)體臺(tái)面，在TCL透明導(dǎo)電層、N型半導(dǎo)體臺(tái)面上分別制作有P電極、N電極。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：通過(guò)對(duì)LED芯片的DBR結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，將DBR結(jié)構(gòu)分為接觸層和交替疊層，采用不同的方法制作，改善了DBR結(jié)構(gòu)接觸層的反透射率和臺(tái)階披覆性，降低了常規(guī)方法制作的DBR結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的LED芯片內(nèi)部應(yīng)力，從而提高了LED芯片的出光率和使用壽命。?? |
