一種高可靠性的氮化物發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910055991.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109817771B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN109817771B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L33/02（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧偉 申請（專利權）人 江西兆馳半導體有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 330000江西省南昌市南昌高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高新二路18號創(chuàng)業(yè)大廈503、515室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高可靠性的氮化物發(fā)光二極管及其制備方法，包括襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層、非摻雜氮化物層、n型氮化物層、具有v型缺陷的有源層、AlN量子點和p型氮化物層；其中：所述AlN量子點位于所述具有v型缺陷的有源層和所述p型氮化物層之間，所述AlN量子點至少沉積在所述具有v型缺陷的有源層的v型缺陷斜面的端點，且不沉積在所述具有v型缺陷的有源層的非v型缺陷平面。本發(fā)明的優(yōu)點在于：通過在有源層的v型缺陷上沉積AlN量子點，阻擋v型缺陷造成發(fā)光二極管的漏電通道，提高氮化物發(fā)光二極管器件的可靠性。