一種半導(dǎo)體可飽和吸收鏡結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821213328.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN208508231U 公開(kāi)（公告）日 2019-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN208508231U 申請(qǐng)公布日 2019-02-15
分類號(hào) H01S3/098 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁崇智;黎海明;朱海波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東華快光子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中山市科創(chuàng)專利代理有限公司 代理人 謝自安
地址 528400 廣東省中山市火炬開(kāi)發(fā)區(qū)玉泉路28號(hào)三層A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體可飽和吸收鏡結(jié)構(gòu)，本案可飽和吸收體采用8個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)，便于構(gòu)成8個(gè)駐波周期，而每個(gè)量子阱采用AlGaAsP應(yīng)變補(bǔ)償層、GaAlAs透明層、InGaAs層、GaAlAs透明層、InGaAs層、GaAlAs透明層、AlGaAsP應(yīng)變補(bǔ)償層的對(duì)稱設(shè)置結(jié)構(gòu)，其便于使每個(gè)量子阱位于駐波的峰值位置和便于進(jìn)行應(yīng)變補(bǔ)償，降低累積應(yīng)力造成的形變，有利于提高SESAM的使用壽命，從而提高激光器壽命，降低激光器維護(hù)成本。