一種多芯片并聯(lián)的半橋型IGBT模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022429352.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213459734U 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN213459734U 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L25/18（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚二現(xiàn);謝龍飛;王豹子;李宇柱 申請（專利權）人 南瑞聯(lián)研半導體有限責任公司
代理機構 南京縱橫知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 董建林
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)誠信大道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種多芯片并聯(lián)的半橋型IGBT模塊，旨在解決現(xiàn)有IGBT模塊中芯片間的開通峰值電流差異較大的技術問題。其包括：金屬基板和六個絕緣陶瓷襯板，在每個絕緣陶瓷襯板上排布有四個IGBT芯片和兩個FRD芯片，所述IGBT芯片的柵極設置在IGBT芯片一側的中間位置，并全部朝向IGBT模塊的中央，IGBT芯片的柵極通過鍵合線連接絕緣陶瓷襯板上的柵極信號銅箔。本實用新型能夠縮小了模塊中IGBT芯片間的開通峰值電流差異，提高芯片開通一致性，避免某一芯片過早失效。