一種溝槽型SiCMOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110726765.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113488542A 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113488542A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王謙;劉昊;田亮;施俊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董建林
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)誠信大道19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽型SiC MOSFET器件及其制備方法，通過在溝槽型SiC MOSFET器件中引入柱區(qū)電場(chǎng)調(diào)制結(jié)構(gòu)，可有效舒緩溝槽底部電場(chǎng)分布，消除電場(chǎng)聚集效應(yīng)，還可屏蔽柵氧內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度，降低柵氧內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度，避免柵氧擊穿，從而防止器件過早擊穿燒毀、提升器件可靠性。此外，本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)和制備方法簡單，效果顯著，可實(shí)現(xiàn)高性能、批量化溝槽型SiC MOSFET器件制備生產(chǎn)，具有巨大的市場(chǎng)潛力與廣泛的應(yīng)用前景。