一種IGBT溝槽柵排布結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023214251.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214012944U 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN214012944U 申請公布日 2021-08-20
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉楓葉;李宇柱;鄭婷婷;李偉邦;駱健;董長城 申請（專利權(quán)）人 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董建林
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)誠信大道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域的一種IGBT溝槽柵排布結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中輸入電容和米勒電容較小，溝道電流分布不均導(dǎo)致小電流開通過程中發(fā)生柵極振蕩的技術(shù)問題。在襯底的一個表面上依次設(shè)置有介質(zhì)層和發(fā)射極金屬；在襯底朝向介質(zhì)層的表面上設(shè)置若干個有源溝槽柵和虛擬溝槽柵，且在相鄰兩個虛擬溝槽柵之間連續(xù)設(shè)置兩個有源溝槽柵；在相鄰兩個有源溝槽柵之間依次設(shè)有P接觸區(qū)、P型阱區(qū)和N型CS層，P接觸區(qū)位于介質(zhì)層一側(cè)；在有源溝槽柵和虛擬溝槽柵之間依次設(shè)有N發(fā)射區(qū)、P型阱區(qū)和N型CS層，N發(fā)射區(qū)位于介質(zhì)層一側(cè)；每個P接觸區(qū)和每個N發(fā)射區(qū)分別通過設(shè)置在介質(zhì)層上的與P接觸區(qū)和N發(fā)射區(qū)一一對應(yīng)的接觸窗口與發(fā)射極金屬導(dǎo)通。