一種大功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110280013.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113140617A 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN113140617A 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田亮;施俊;劉昊;邱凱兵 申請（專利權(quán)）人 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邵斌
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)誠信大道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域的一種大功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，降低了裂片過程中出現(xiàn)碎片的幾率，提高了產(chǎn)品的合格率和產(chǎn)量。包括：在芯片第一表面進行各功能模塊的制作，然后在第一表面的劃片道處制作第一埋層；在芯片第二表面進行各功能模塊的制作，然后在第二表面上制作與第一埋層相對的第二埋層；對芯片進行裂片，使芯片沿第一埋層和第二埋層產(chǎn)生裂痕，進而分割成若干個獨立的半導(dǎo)體器件。