一種使晶片變薄的加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510480359.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105097480A 公開（公告）日 2015-11-25
申請公布號 CN105097480A 申請公布日 2015-11-25
分類號 H01L21/302(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施勇 申請（專利權(quán)）人 海門市明陽實業(yè)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 226141 江蘇省南通市海門市四甲鎮(zhèn)人民路438號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種使晶片變薄的加工方法，該方法包括：提供晶片；利用黏著層將所述晶片的正面接合于承載晶片上，所述黏著層包括熱釋放膠帶或紫外線膠帶；以及進行晶片薄化工藝，由所述晶片的背面薄化所述晶片；所述晶片薄化工藝包括等離子體蝕刻工藝和/或研磨拋光工藝和/或化學(xué)蝕刻工藝。本發(fā)明利用熱釋放膠帶或紫外線膠帶接合晶片與承載晶片，可有效保護晶片正面的元件并解決晶片薄化后不易固定傳輸?shù)膯栴}；薄化后的晶片在不需去除熱釋放膠帶或紫外線膠帶的情況下即可進行后續(xù)工藝，可避免晶片受損；晶片薄化工藝可依據(jù)規(guī)格需求加以調(diào)整，并可有效解決應(yīng)力問題；熱釋放膠帶或紫外線膠帶具有易分離特點，可避免晶片破裂。