一種低溫寬頻帶低噪聲放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410735258.6 申請日 -
公開（公告）號 CN104467691B 公開（公告）日 2017-07-28
申請公布號 CN104467691B 申請公布日 2017-07-28
分類號 H03F1/26(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 郭國平;鄭智雄;李海鷗;曹剛;肖明;郭光燦 申請（專利權(quán)）人 安徽省中安科技小額貸款股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);合肥本源量子計算科技有限責(zé)任公司
地址 230026 安徽省合肥市包河區(qū)金寨路96號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低溫寬頻帶低噪聲放大器，包括：用于降低場效應(yīng)晶體管FET在寬頻帶內(nèi)輸入回波損耗和噪聲的輸入匹配電路、用于使低溫寬頻帶低噪聲放大器產(chǎn)生平坦高增益的級間匹配電路，以及用于降低FET在寬頻帶內(nèi)輸出回波損耗的輸出匹配電路；其中，所述輸入匹配電路、級間匹配電路與輸出匹配電路依次串聯(lián)。通過采用本發(fā)明公開的放大器，不僅可以保證在低溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，而且在3.5—8GHZ的寬頻帶內(nèi)，放大器能達(dá)到25dB的增益，同時增益平坦度小于2dB，并且保證放大器的噪聲和回波損耗在寬頻帶內(nèi)足夠低。