一種氧化鎵晶體冷坩堝生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201980032816.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112513342A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112513342A 申請公布日 2021-03-16
分類號 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 唐慧麗;徐軍;趙衡煜;何諾天;李東振;王東海 申請（專利權(quán)）人 南京同溧晶體材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 南京中律知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈振濤
地址 210000江蘇省南京市溧水區(qū)東屏鎮(zhèn)金港路22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的一種氧化鎵晶體冷坩堝生長方法，包括以下步驟：放置β?Ga2O3籽晶，堆積高純Ga2O3形成原料堆；啟動高頻感應(yīng)發(fā)生器電源，將兩根石墨棒插入原料堆中；升高石墨棒的加熱功率至石墨棒之間產(chǎn)生電火花，石墨棒起燃使周圍的高純Ga2O3圓球狀原料熔融，形成熔體；熔體在高頻感應(yīng)線圈的作用下持續(xù)發(fā)熱，向熔體中投入高純Ga2O3圓球狀原料，使充分熔化，熔體體積進一步擴大，直至籽晶與熔體充分熔接；將水冷銅管坩堝逐漸下降，晶體自籽晶處逐步向上結(jié)晶生長；降溫退火。該方法工藝簡單，大幅降低長晶成本；采用常壓空氣氣氛生長晶體，有效解決了生長過程中的分解揮發(fā)問題，同時降低了對設(shè)備的耐壓要求。??