一種氧化鎵晶體冷坩堝生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> PCT/CN2019/110321 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) WO2021068153A1 公開(kāi)（公告）日 2021-04-15
申請(qǐng)公布號(hào) WO2021068153A1 申請(qǐng)公布日 2021-04-15
分類(lèi)號(hào) C30B15/36;C30B29/16 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 TANG, HUILI;唐慧麗;XU, JUN;徐軍;ZHAO, HENGYU;趙衡煜;HE, NUOTIAN;何諾天;LI, DONGZHEN;李東振;WANG, DONGHAI;王東海 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京同溧晶體材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 NANJING ZHONGLV INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY FRIM (GENERAL PARTNERSHIP);南京中律知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
地址 Wang Donghai,No.22, Jingang Road, Dongping Town, Lishui District, Nanjing, CN,Nanjing, Jiangsu 211211 CN
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的一種氧化鎵晶體冷坩堝生長(zhǎng)方法，包括以下步驟：放置β-Ga 2O 3籽晶，堆積高純Ga 2O 3形成原料堆；啟動(dòng)高頻感應(yīng)發(fā)生器電源，將兩根石墨棒插入原料堆中；升高石墨棒的加熱功率至石墨棒之間產(chǎn)生電火花，石墨棒起燃使周?chē)母呒僄a 2O 3圓球狀原料熔融，形成熔體；熔體在高頻感應(yīng)線(xiàn)圈的作用下持續(xù)發(fā)熱，向熔體中投入高純Ga 2O 3圓球狀原料，使充分熔化，熔體體積進(jìn)一步擴(kuò)大，直至籽晶與熔體充分熔接；將水冷銅管坩堝逐漸下降，晶體自籽晶處逐步向上結(jié)晶生長(zhǎng)；降溫退火。該方法工藝簡(jiǎn)單，大幅降低長(zhǎng)晶成本；采用常壓空氣氣氛生長(zhǎng)晶體，有效解決了生長(zhǎng)過(guò)程中的分解揮發(fā)問(wèn)題，同時(shí)降低了對(duì)設(shè)備的耐壓要求。