一種稀土離子倍半氧化物晶體的冷坩堝生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201980033109.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112513343A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112513343A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 徐軍;趙衡煜;徐曉東;李東振;王東海 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京同溧晶體材料研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京中律知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 沈振濤 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市溧水區(qū)東屏鎮(zhèn)金港路22號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供的一種稀土離子倍半氧化物晶體的冷坩堝生長(zhǎng)方法，包括以下步驟：原料堆積：在冷水坩堝底部放置籽晶；在冷水坩堝中堆積圓球狀原料，使冷水坩堝中形成原料堆；將引燃物置于原料堆中心；加熱原料：利用感應(yīng)線圈加熱引燃物，從而加熱引燃物周?chē)?，形成熔體；熔體在感應(yīng)線圈的作用下持續(xù)發(fā)熱，熔體體積進(jìn)一步擴(kuò)大直至原料形成熔體；晶體生長(zhǎng)：向熔體中投入圓球狀原料，保持高頻場(chǎng)的頻率恒定，控制高頻場(chǎng)的功率，使晶體向上生長(zhǎng)。該方法通過(guò)不斷冷卻坩堝使接觸坩堝的原料形成殼層，巧妙的將熔體與坩堝隔離開(kāi)來(lái)，避免了高溫熔體對(duì)坩堝的腐蝕，可用于熔點(diǎn)大于2400℃的稀土離子倍半氧化物的生長(zhǎng)。?? |
