一種晶體生長用坩堝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201521097632.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN205241850U | 公開(公告)日 | 2016-05-18 |
申請公布號 | CN205241850U | 申請公布日 | 2016-05-18 |
分類號 | C30B15/10(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 李濤;柳井忠;黃小衛(wèi);柳祝平 | 申請(專利權(quán))人 | 石河子市鑫磊光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中恒高博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉洪京 |
地址 | 832000 新疆維吾爾自治區(qū)石河子市開發(fā)區(qū)東七路與北九路交匯口 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型所公開的晶體生長用坩堝,通過堝體與堝口環(huán)套結(jié)合,有效防止坩堝在不斷高溫熔煉過程中變形從而引起堝口出現(xiàn)裂紋或損壞了堝口溫度梯度導(dǎo)致晶體放肩時(shí)長角、提前粘堝的問題,提高了晶體質(zhì)量。同時(shí)分離式堝口環(huán)套一旦發(fā)生變形,可獨(dú)立更換,能有效延長坩堝的使用壽命從而大大降低晶體單位生產(chǎn)成本;另外,堝體內(nèi)壁與堝體外壁、堝底與堝壁形成的獨(dú)特的角度不僅有利于在結(jié)晶前得到均勻的溫度梯度和穩(wěn)定的生長速率,還能更輕松控制晶體不粘坩堝或減低等徑時(shí)晶體與坩堝粘附的面積,從而減少粘堝生長產(chǎn)生的應(yīng)力過大和晶體寄生坩堝生長易產(chǎn)生位錯(cuò)的品質(zhì)現(xiàn)象,比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)坩堝生長的晶體應(yīng)力交錯(cuò)少、品質(zhì)更優(yōu)異。 |
