一種晶體生長用坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201521097632.0 申請日 -
公開（公告）號 CN205241850U 公開（公告）日 2016-05-18
申請公布號 CN205241850U 申請公布日 2016-05-18
分類號 C30B15/10(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李濤;柳井忠;黃小衛(wèi);柳祝平 申請（專利權(quán)）人 石河子市鑫磊光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中恒高博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉洪京
地址 832000 新疆維吾爾自治區(qū)石河子市開發(fā)區(qū)東七路與北九路交匯口
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型所公開的晶體生長用坩堝，通過堝體與堝口環(huán)套結(jié)合，有效防止坩堝在不斷高溫熔煉過程中變形從而引起堝口出現(xiàn)裂紋或損壞了堝口溫度梯度導(dǎo)致晶體放肩時(shí)長角、提前粘堝的問題，提高了晶體質(zhì)量。同時(shí)分離式堝口環(huán)套一旦發(fā)生變形，可獨(dú)立更換，能有效延長坩堝的使用壽命從而大大降低晶體單位生產(chǎn)成本；另外，堝體內(nèi)壁與堝體外壁、堝底與堝壁形成的獨(dú)特的角度不僅有利于在結(jié)晶前得到均勻的溫度梯度和穩(wěn)定的生長速率，還能更輕松控制晶體不粘坩堝或減低等徑時(shí)晶體與坩堝粘附的面積，從而減少粘堝生長產(chǎn)生的應(yīng)力過大和晶體寄生坩堝生長易產(chǎn)生位錯(cuò)的品質(zhì)現(xiàn)象，比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)坩堝生長的晶體應(yīng)力交錯(cuò)少、品質(zhì)更優(yōu)異。