聲表面波射頻辨識(shí)標(biāo)簽及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200510026903.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN1881236A | 公開（公告）日 | 2006-12-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN1881236A | 申請(qǐng)公布日 | 2006-12-20 |
| 分類號(hào) | G06K19/00(2006.01);G06K7/00(2006.01);H01L41/083(2006.01);H01L41/18(2006.01);H01L41/22(2006.01) | 分類 | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 劉建國(guó) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海古盛電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 | 代理人 | 李平 |
| 地址 | 200336上海市天山路310號(hào)8A座 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種聲表面波射頻辨識(shí)標(biāo)簽及其制造方法，主要包括：?jiǎn)尉Щ?、至少一個(gè)叉指換能器和數(shù)條反射柵以及與叉指換能器相連接的天線，所述單晶基片為壓電性基片，采用具有高機(jī)電耦合系數(shù)、能流角接近0和各向異性因子接近－1的硅酸鎵鑭晶體切向的硅酸鎵鑭晶體作為基片材料，使用的頻率范圍為：400MHz－2.45GHz。其優(yōu)點(diǎn)是相同長(zhǎng)度的基片上，可以布置更多條數(shù)的反射柵，從而提高了編碼容量，并且使用的溫度場(chǎng)合更高。 |
