一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210571702.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114709256A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114709256A 申請公布日 2022-07-05
分類號 H01L29/417（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱雷;許建華 申請（專利權(quán)）人 深圳市時代速信科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)廣蘭道6號順倉物流中心三層（深裝總大廈A座3樓318-320）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制備方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體器件包括襯底、成核層、第一緩沖層、第二緩沖層、器件層、源極、漏極、柵極以及背金層，源極與第二緩沖層接觸，第二緩沖層為n型摻雜層，并具備導(dǎo)電特性，背孔貫通至成核層并與第二緩沖層相對應(yīng)，背金層通過第二緩沖層與源極電學(xué)連接。避免了對緩沖層的刻蝕，提供了一種新型的背孔工藝和結(jié)構(gòu)，其在進(jìn)行背孔工藝時無需刻蝕緩沖層，從而無需考慮勢壘層被完全刻蝕而導(dǎo)致歐姆接觸失效及源極金屬被刻蝕的問題，且無需降低刻蝕速度，降低成本的同時提升了產(chǎn)能，同時第二緩沖層采用n型摻雜，使得源極的接觸電阻較小，能夠?qū)崿F(xiàn)源極和背金層之間良好的電學(xué)連接。