半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210321329.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114420657A 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN114420657A 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01L23/48;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許建華;樂伶聰;楊天應(yīng) 申請（專利權(quán)）人 深圳市時代速信科技有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 楊勛
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)廣蘭道6號順倉物流中心三層（深裝總大廈A座3樓318-320）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體器件包括襯底、半導(dǎo)體層、源極金屬、漏極金屬和柵極金屬，將源極金屬、漏極金屬和柵極金屬間隔分布在電極分布區(qū)內(nèi)，且柵極金屬設(shè)置在源極金屬和漏極金屬之間的溝道區(qū)域，同時溝道區(qū)域的中部設(shè)置有第一隔離區(qū)，第一隔離區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層為具有絕緣特性的第一絕緣層，從而使得第一隔離區(qū)內(nèi)形成了第一無源散熱區(qū)。在器件運行時，由于設(shè)置有第一隔離區(qū)，第一隔離區(qū)內(nèi)為絕緣特性，故第一隔離區(qū)內(nèi)不會因為電流經(jīng)過而產(chǎn)生熱量累計，并且第一隔離區(qū)位于溝道區(qū)域的中部，能夠降低器件中心區(qū)域的熱累計，降低整個器件的熱量集中度，改善器件的熱分布。