一種聚合物微發(fā)泡薄膜的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510474749.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN104987523B | 公開(kāi)(公告)日 | 2018-03-27 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104987523B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-27 |
分類號(hào) | C08J9/00;C08J7/12;C08L23/12;C08L67/02;C08L71/10;C08L79/08;B32B27/06;B32B37/00 | 分類 | 有機(jī)高分子化合物;其制備或化學(xué)加工;以其為基料的組合物; |
發(fā)明人 | 馬明明;韓世輝;韓世鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 青島中誠(chéng)高分子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 青島中天匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 萬(wàn)桂斌 |
地址 | 266109 山東省青島市城陽(yáng)區(qū)松園路17號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種聚合物微發(fā)泡薄膜的制備方法,包括如下步驟:1)將200?500μm厚的聚合物薄膜和間隔材料,均勻收成卷材。2)將卷材放置在超臨界流體反應(yīng)釜中,控制在較高的溫度和壓力,使超臨界流體在聚酯卷材中滲透、溶脹、達(dá)到飽和。3)達(dá)到飽和以后,輔助超聲波技術(shù),聚合物薄膜內(nèi)部均勻成核,釋放反應(yīng)釜中超臨界流體,取出已經(jīng)成核的卷材。4)將卷材置于熱源下,內(nèi)部氣核生長(zhǎng)、泡孔定型,制得孔徑均一、泡孔細(xì)密的微發(fā)泡薄膜。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單,清潔無(wú)污染,效率較高;制得的聚合物微發(fā)泡薄膜的厚度在300?1000μm之間,制品密度在0.25?0.65g/cm3之間,孔徑在5?20μm之間,孔密度在1010?1012cells/cm3;對(duì)可見(jiàn)光的反射,達(dá)到了98%以上。 |
