由功率MOSFET構(gòu)成的雙向?qū)ǖ哪孀兤?/p>

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200820222684.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN201383764Y 公開（公告）日 2010-01-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN201383764Y 申請(qǐng)公布日 2010-01-13
分類號(hào) H02M7/5387(2007.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 劉大椿;胡巖長(zhǎng);段志華;楊操;劉洪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安尤奈特電機(jī)控制技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 李罡
地址 710077陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)一路72號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種由功率MOSFET構(gòu)成的雙向?qū)ǖ哪孀兤?。在低占空比作PWM模式工作時(shí)，續(xù)流損耗比導(dǎo)通損耗加開關(guān)損耗之和高出一個(gè)數(shù)量級(jí)，為了解決這個(gè)問(wèn)題，傳統(tǒng)的方法是：在非調(diào)制側(cè)增加功率MSOFET數(shù)量，以減小每個(gè)續(xù)流二極管中續(xù)流電流平均值來(lái)降低續(xù)流損耗；或者在非調(diào)制側(cè)并聯(lián)導(dǎo)通壓降小的肖特基二極管來(lái)降低續(xù)流損耗，這樣既增加了成本，又對(duì)降低損耗的效果也不甚明顯。本實(shí)用新型利用功率MOSFET在導(dǎo)通時(shí)允許雙方電流通過(guò)的特點(diǎn)，在單邊PWM模式時(shí)，其同橋臂另一側(cè)的功率MOSFET做/PWM工作，使續(xù)流電流流過(guò)功率MOSFET。因而本實(shí)用新型既不增加成本，又降低了續(xù)流損耗、提高了逆變器效率。