由功率MOSFET構成的雙向導通的逆變器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820222684.X 申請日 -
公開（公告）號 CN201383764Y 公開（公告）日 2010-01-13
申請公布號 CN201383764Y 申請公布日 2010-01-13
分類號 H02M7/5387(2007.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 劉大椿;胡巖長;段志華;楊操;劉洪 申請（專利權）人 西安尤奈特電機控制技術有限公司
代理機構 西安新思維專利商標事務所有限公司 代理人 李罡
地址 710077陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)一路72號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種由功率MOSFET構成的雙向導通的逆變器。在低占空比作PWM模式工作時，續(xù)流損耗比導通損耗加開關損耗之和高出一個數量級，為了解決這個問題，傳統(tǒng)的方法是：在非調制側增加功率MSOFET數量，以減小每個續(xù)流二極管中續(xù)流電流平均值來降低續(xù)流損耗；或者在非調制側并聯(lián)導通壓降小的肖特基二極管來降低續(xù)流損耗，這樣既增加了成本，又對降低損耗的效果也不甚明顯。本實用新型利用功率MOSFET在導通時允許雙方電流通過的特點，在單邊PWM模式時，其同橋臂另一側的功率MOSFET做/PWM工作，使續(xù)流電流流過功率MOSFET。因而本實用新型既不增加成本，又降低了續(xù)流損耗、提高了逆變器效率。