單晶爐用自控式加熱系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210205675.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102828236B 公開（公告）日 2016-01-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN102828236B 申請(qǐng)公布日 2016-01-13
分類號(hào) C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 林游輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥景坤新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張永芳
地址 231602 安徽省合肥市肥東縣長樂鄉(xiāng)澗南村后牛組
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶爐用自控式加熱系統(tǒng)，包括置于爐體內(nèi)上石墨加熱器、下石墨加熱器，上石墨加熱器、下石墨加熱器分別連接有電源系統(tǒng)，上石墨加熱器、下石墨加熱器分別呈方波狀，上石墨加熱器、下石墨加熱器的間距內(nèi)設(shè)有梳狀排布的導(dǎo)熱板，相鄰的導(dǎo)熱板之間有連接筋，上石墨加熱器的下端與下石墨加熱器的上端之間有間隙，上石墨加熱器下端與下石墨加熱器上端的間隙中設(shè)有隔熱板，隔熱板伸向坩堝；采用了分段式組合石墨加熱器，雙電源系統(tǒng)，化料時(shí)雙石墨加熱器同時(shí)工作，大大縮短了熔硅時(shí)間，化料結(jié)束后降低下石墨加熱器功率，以上石墨加熱器為主石墨加熱器進(jìn)行生長，使熱場的底部溫度下降且不影響晶體的生長，減小了傳統(tǒng)熱場頂部與底部的溫差。