單晶爐加熱系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210205336.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102758254A 公開(kāi)（公告）日 2012-10-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN102758254A 申請(qǐng)公布日 2012-10-31
分類(lèi)號(hào) C30B29/06(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 林游輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥景坤新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 合肥景坤新能源有限公司
地址 231600 安徽省合肥市肥東縣新城開(kāi)發(fā)區(qū)荷花路13號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶爐加熱系統(tǒng)，包括置于爐體內(nèi)上加熱器、下加熱器，上加熱器、下加熱器分別正對(duì)于坩堝的上部、下部，上加熱器、下加熱器分別連接有電源系統(tǒng)，所述的上加熱器、下加熱器分別呈方波狀，上加熱器的下端與下加熱器的上端之間具有間隙，且上加熱器大于下加熱器的豎向高度，所述的上加熱器下端與下加熱器上端的間隙中設(shè)有隔熱板，隔熱板伸向坩堝。采用了分段式組合加熱器，雙電源系統(tǒng)，化料時(shí)雙加熱器同時(shí)工作，大大縮短了熔硅時(shí)間，化料結(jié)束后降低下加熱器功率，以上加熱器為主加熱器進(jìn)行生長(zhǎng)，使熱場(chǎng)的底部溫度下降且不影響晶體的生長(zhǎng)，減小了傳統(tǒng)熱場(chǎng)頂部與底部的溫差。