復(fù)合加熱防輻射式直拉多或單晶硅制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210204935.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102817069A 公開（公告）日 2012-12-12
申請公布號 CN102817069A 申請公布日 2012-12-12
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 林游輝 申請（專利權(quán)）人 合肥景坤新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 合肥景坤新能源有限公司
地址 231600 安徽省合肥市肥東縣新城開發(fā)區(qū)荷花路13號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了復(fù)合加熱防輻射式直拉多或單晶硅制備工藝，包括有以下步驟：a)、加料：將多或單晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)種類有硼、磷、氮；b)、融化：加完多或單晶硅原料于石英坩堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氮?dú)?，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度1420℃以上，將多或單晶硅原料熔化，化料時上加熱器、下加熱器同時工作，化料結(jié)束后降低下加熱器功率，以上加熱器為主加熱器進(jìn)行生長；使熱場的底部溫度下降且不影響晶體的生長，減小了傳統(tǒng)熱場頂部與底部的溫差；加強(qiáng)了氬（氮）氣流對固-液界面的吹拂，增強(qiáng)了氬（氮）氣流攜帶結(jié)晶潛熱的作用因此有利于單晶生長，并可以提高結(jié)晶速率，進(jìn)而提高拉晶速率。