單晶爐用自控式加熱系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210205675.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102828236A 公開（公告）日 2012-12-19
申請公布號 CN102828236A 申請公布日 2012-12-19
分類號 C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 林游輝 申請（專利權(quán)）人 合肥景坤新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 合肥景坤新能源有限公司;張永芳
地址 231600 安徽省合肥市肥東縣新城開發(fā)區(qū)荷花路13號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶爐用自控式加熱系統(tǒng)，包括置于爐體內(nèi)上石墨加熱器、下石墨加熱器，上石墨加熱器、下石墨加熱器分別連接有電源系統(tǒng)，上石墨加熱器、下石墨加熱器分別呈方波狀，上石墨加熱器、下石墨加熱器的間距內(nèi)設(shè)有梳狀排布的導(dǎo)熱板，相鄰的導(dǎo)熱板之間有連接筋，上石墨加熱器的下端與下石墨加熱器的上端之間有間隙，上石墨加熱器下端與下石墨加熱器上端的間隙中設(shè)有隔熱板，隔熱板伸向坩堝；采用了分段式組合石墨加熱器，雙電源系統(tǒng)，化料時雙石墨加熱器同時工作，大大縮短了熔硅時間，化料結(jié)束后降低下石墨加熱器功率，以上石墨加熱器為主石墨加熱器進(jìn)行生長，使熱場的底部溫度下降且不影響晶體的生長，減小了傳統(tǒng)熱場頂部與底部的溫差。