防熱輻射直拉多或單晶硅制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210204934.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102817071A 公開（公告）日 2012-12-12
申請公布號 CN102817071A 申請公布日 2012-12-12
分類號 C30B15/22(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B28/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 林游輝 申請（專利權(quán)）人 合肥景坤新能源有限公司
代理機構(gòu) 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 合肥景坤新能源有限公司
地址 231600 安徽省合肥市肥東縣新城開發(fā)區(qū)荷花路13號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了防熱輻射直拉多或單晶硅制備工藝，包括以下步驟：?a)融化：加完多晶硅或單晶硅原料于石英坩堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氮氣，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度1570℃，將多或單晶硅原料熔化；?b)放肩生長：長完細頸之后，須降低溫度與拉速，使得硅單晶的直徑漸漸增大到所需的大小，圍繞于硅單晶棒外設(shè)有熱屏，由于熱屏減弱了加熱器對晶體的熱輻射，同時也減弱了對固-液界面熱輻射力度，在一定程度上增加了熔硅的縱向溫度梯度。同時采用熱屏后，加強了氬（氮）氣流對固-液界面的吹拂，增強了氬（氮）氣流攜帶結(jié)晶潛熱的作用因此有利于單晶生長，并可以提高結(jié)晶速率，進而提高拉晶速率。