LCOS像素單元器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820074046.8 申請日 -
公開（公告）號 CN201167094Y 公開（公告）日 2008-12-17
申請公布號 CN201167094Y 申請公布日 2008-12-17
分類號 H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1362(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范義;代永平;范偉 申請（專利權(quán)）人 天津力偉創(chuàng)科技有限公司
代理機構(gòu) 天津市杰盈專利代理有限公司 代理人 天津力偉創(chuàng)科技有限公司;深圳市長江力偉股份有限公司
地址 300384天津市華苑產(chǎn)業(yè)園區(qū)華天道2號火炬大廈5031室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種LCOS像素單元器件結(jié)構(gòu)，屬于信息科學(xué)技術(shù)學(xué)科的微電子應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種硅基液晶顯示器像素單元器件結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。新的LCOS像素單元器件結(jié)構(gòu)設(shè)置在P型硅襯底上，具有N型阱(4)、PMOS管的柵極(3)、PMOS管的漏極(2)、PMOS管的源極(6)、PMOS管的背電極(1)、NMOS管的柵極(11)、NMOS管的漏極(9)、NMOS管的源極(6)、NMOS管的背電極(15)、電容器的上電極(24)、電容器的下電極(22)，并包括第1層絕緣層覆(16)蓋在P型硅襯底之上(13)、第2層絕緣層(18)放置在第1層絕緣層(16)之上、第3層絕緣層(19)放置在第2層絕緣層(18)之上、電容器的絕緣層(23)放置在第3層絕緣層(19)之上，電容器的絕緣層(23)厚度是50納米～100納米。本項專利降低了像素輸入數(shù)據(jù)的損耗，提高了像素存貯電容器的單位電容值。