適于單層多晶硅CMOS工藝的LCOS像素單元結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200820074772.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN201196721Y 公開（公告）日 2009-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN201196721Y 申請(qǐng)公布日 2009-02-18
分類號(hào) G02F1/136(2006.01);G02F1/1362(2006.01);H01L27/105(2006.01) 分類 光學(xué);
發(fā)明人 范義;代永平;范偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津力偉創(chuàng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市杰盈專利代理有限公司 代理人 天津力偉創(chuàng)科技有限公司;深圳市長(zhǎng)江力偉股份有限公司
地址 300384天津市華苑產(chǎn)業(yè)園區(qū)華天道2號(hào)火炬大廈5031室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種硅基液晶顯示器像素單元器件結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。適于單層多晶硅CMOS工藝的LCOS像素單元器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一個(gè)N型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)管和一個(gè)p+型摻雜層－絕緣層－多晶硅(p+－i－P)電容器；所述的NMOS管和p+－i－P電容器置于P型硅襯底上，P型硅襯底之上覆蓋第1層絕緣層，第2層絕緣層設(shè)置在第1層絕緣層之上，第3層絕緣層設(shè)置在第2層絕緣層之上，像素電極設(shè)置在第3層絕緣層之上。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)采用低成本的單層多晶硅CMOS半導(dǎo)體工藝制備LCOS芯片，還能夠消除常規(guī)MOS電容器存在的閾值干擾現(xiàn)象。