直立式石墨烯薄膜場發(fā)射陰極及其制作方法、電極
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610749482.X | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN106128906A | 公開(公告)日 | 2016-11-16 |
申請公布號(hào) | CN106128906A | 申請公布日 | 2016-11-16 |
分類號(hào) | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李葵陽 | 申請(專利權(quán))人 | 重慶涌陽光電有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 滑春生 |
地址 | 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號(hào)一期標(biāo)準(zhǔn)廠房1號(hào)樓5層2號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種直立式石墨烯薄膜場發(fā)射陰極及其制作方法、電極,該陰極包括襯底,在襯底的預(yù)設(shè)區(qū)域上設(shè)置有多個(gè)相互獨(dú)立的突起,每個(gè)突起頂端都設(shè)置有第一石墨烯薄膜且該第一石墨烯薄膜在突起頂端周邊的厚度大于在突起頂端內(nèi)部的厚度,各個(gè)突起之間設(shè)置有第二石墨烯薄膜,且針對至少一個(gè)突起,其頂端設(shè)置的第一石墨烯薄膜,相比于該突起與相鄰?fù)黄鹬g設(shè)置的第二石墨烯薄膜存在高差。本發(fā)明可以提高石墨烯薄膜場發(fā)射陰極的電流發(fā)射能力。 |
