一種可調(diào)節(jié)半導(dǎo)體單晶硅熔液對流的熱場及單晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011470743.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112626609B 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN112626609B 申請公布日 2022-02-01
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 潘清躍;秦英謖;鄭鍇;穆童 申請（專利權(quán)）人 南京晶能半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 210046江蘇省南京市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)興智路6號興智科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可調(diào)節(jié)半導(dǎo)體單晶硅熔液對流的熱場及單晶爐，該熱場中的保溫筒內(nèi)設(shè)有不同材質(zhì)的填充塊，達(dá)到改變硅熔液下部溫度的目的，實現(xiàn)控制硅熔體熱對流的效果。以降低硅熔體受熱對流的影響，以提高晶體長晶的質(zhì)量均勻性和穩(wěn)定性。