一種可調(diào)節(jié)半導(dǎo)體單晶硅熔液對(duì)流的熱場及單晶爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011470743.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112626609A 公開（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112626609A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類號(hào) C30B15/00;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 潘清躍;秦英謖;鄭鍇;穆童 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京晶能半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 210046 江蘇省南京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)興智路6號(hào)興智科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可調(diào)節(jié)半導(dǎo)體單晶硅熔液對(duì)流的熱場及單晶爐，該熱場中的保溫筒內(nèi)設(shè)有不同材質(zhì)的填充塊，達(dá)到改變硅熔液下部溫度的目的，實(shí)現(xiàn)控制硅熔體熱對(duì)流的效果。以降低硅熔體受熱對(duì)流的影響，以提高晶體長晶的質(zhì)量均勻性和穩(wěn)定性。