一種對半導體硅材料晶體長晶放肩形狀的控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010717177.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112064109A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112064109A 申請公布日 2020-12-11
分類號 C30B15/22(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳春生;鄭鍇;穆童;王程平 申請（專利權）人 南京晶能半導體科技有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 210046江蘇省南京市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)興智路6號興智科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種對半導體硅材料晶體長晶放肩形狀的控制方法，通過在放肩階段增加一項斜率?SLOP控制，并伴有直徑?拉速和拉速?溫度兩個閉環(huán)控制體系，完成對放肩階段晶體形狀一致性的控制，可以生長出與配方中的斜率設置相同的晶體。由于放肩過程的嚴格控制，晶體進入等徑后的溫度環(huán)境更加穩(wěn)定可控，便于生長出高品質的半導體單晶棒。??