復(fù)合介質(zhì)柵橫向收集光敏探測(cè)單元、探測(cè)器及其工作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011627850.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112802861A 公開(kāi)（公告）日 2021-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN112802861A 申請(qǐng)公布日 2021-05-14
分類號(hào) H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬浩文;沈凡翔;王子豪;王凱;李張南;顧郅揚(yáng);胡心怡;柴智;陳輝;常峻淞;李龍飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京威派視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張艷
地址 211100 江蘇省南京市江寧區(qū)麒麟高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)天驕路100號(hào)9號(hào)樓801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種復(fù)合介質(zhì)柵橫向收集光敏探測(cè)單元、光敏探測(cè)器及其工作方法，包括形成在同一襯底正面的復(fù)合介質(zhì)柵MOS電容和復(fù)合介質(zhì)柵晶體管，還包括埋柵MOS電容，埋柵MOS電容位于P型半導(dǎo)體襯底背面且正對(duì)上方復(fù)合介質(zhì)柵MOS電容的中心位置，復(fù)合介質(zhì)柵MOS電容與復(fù)合介質(zhì)柵晶體管在P型半導(dǎo)體襯底中通過(guò)淺槽隔離區(qū)隔開(kāi)。光敏探測(cè)器包括多個(gè)探測(cè)單元排列成的陣列，每一列復(fù)合介質(zhì)柵晶體管的漏端相連形成位線，源端相連形成公用源，每一行的控制柵極相連形成字線，每一行的埋柵相連形成埋柵線，襯底共用；光敏探測(cè)單元之間通過(guò)淺槽隔離區(qū)以及深槽隔離區(qū)隔開(kāi)。工作時(shí)依次包括光電子的收集、光電子的讀出與放大和光電子的復(fù)位。本發(fā)明的光電荷收集效率高。