一種碳化硅涂層及其過渡層和制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110448539.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113151800A | 公開(公告)日 | 2021-07-23 |
申請公布號 | CN113151800A | 申請公布日 | 2021-07-23 |
分類號 | C23C16/02;C23C16/32 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 于偉華;朱建中;鞠德勝;萬榮群 | 申請(專利權(quán))人 | 無錫海飛凌半導(dǎo)體材料有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳市精英專利事務(wù)所 | 代理人 | 李瑩 |
地址 | 214000 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)杏里路10號宜興光電產(chǎn)業(yè)園1幢201室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種碳化硅涂層及其過渡層和制備方法,涉及表面處理技術(shù)領(lǐng)域。過渡層的制備方法包括:將硅改性酚醛樹脂以及活性炭添加到溶劑中,制備混合試劑;將混合試劑均勻涂覆到基材表面,并烘干;將基材放入CVD反應(yīng)器內(nèi),抽真空至0.1?1mbar;在惰性氣體保護下升溫至650?850℃后保溫,同時,保持CVD反應(yīng)器內(nèi)的壓力為80?200mbar;在保溫0.5?2小時后,保持反應(yīng)器內(nèi)壓力不變,升溫至1300?1400℃后,保溫2.5?4小時;降溫至550?750℃;在反應(yīng)器內(nèi)通入空氣進行吹掃,并保溫3?5小時。通過在基材表面設(shè)置一層多孔結(jié)構(gòu)的過渡層,可在沉積碳化硅時增加基材與碳化硅之間的結(jié)合力,使得碳化硅涂層更加致密,降低涂層表面粗糙度,并且有利于將基材和外部環(huán)境隔絕,避免基材的雜質(zhì)帶入后續(xù)的系統(tǒng)中。 |
